تحویل اکسپرس

تحویل فوری و سالم محصول

پرداخت مطمئن

پرداخت از طریق درگاه معتبر

ضمانت کیفیت

تضمین بالاترین کیفیت محصولات

ضمانت بازگشت

بازگشت 7 روزه محصول
۱۰ اسفند ۱۳۹۶
237 views
بدون نظر

<h2><strong>ساخت IC ها نکات مربوط به آن</strong></h2>

ساخت IC ها نکات مربوط به آن

ساخت IC ها نکات مربوط به آن: مدارهای مجتمع یا به عبارتی IC ها که به آنها تراشه و یا میکرو تراشه گفته می شود

از میلیون ها ویفر نیمه هادی که به یکدیگر متصل می باشد تشکیل شده است

معمولا قطعاتی همچون مقاومت-ترانزیستور-دیود درانها به کار رفته است و ارتباط داخلی بین انها بسیار فشرده می باشد

یک تراشه از سیلیکون ساخته می شود.

تمامی مدارها و اتصالات داخلی به وسیله ی یک ویفر بسیار نازک که به آن IC یکپارچه گفته می شود تشکیل شده است.

IC ها دارای سایز بسیار کوچک می باشند و برای دیدن اتصالات قطعات الکترونیکی به میکروسکوپ نیاز می باشد

مراحل ساخت IC ها همانند ساخت دیود و ترانزیستور می باشد

در IC ها ساخت مدارهای ترانزیستور- دیود و خازن و دیگرقطعات و همچنین اتصالات داخلی در یک زمان انجام می شود.

دارای مزایای بسیار زیادی همچون وزن کم –

بسیار کوچک – تغذیه کم و هزینه پایین آن دارای سرعت پردازش بالا تعویض آسان آن

IC ها از قطعات اصلی در دستگاهای الکترونیکی می باشد. و می توان از آن به عنوان تقویت کننده

اوسیلاتورها – زمان سنج – شمارنده و حافظه معموری ها استفاده می شود.

مراحل ساخت IC: ساخت IC ها به چند مرحله تقسیم می شود. این مراحل که شامل ۸  تا ۲۰ الگو از لایه ها می باشد

با ساخت لایه اصلی یک مدار مجتمع را تشکیل می دهد. زمانی که از نظر الکتریکی لایه های سطحی با ویفر در ارتباط باشد.

<h2><strong>ساخت IC ها نکات مربوط به آن</strong></h2>

ساخت IC ها نکات مربوط به آن:

استخراج شده از سایت:https://www.mepits.com/tutorial/384/vlsi/steps-for-ic-manufacturing

مرحله اول:

ساخت قطعه نازک سلیکونی

اولین مرحله ساخت مربوط به ساخت ویفر یا همان قطعه نازک سیلیونی می باشد

که در حالت کلی از یک تیکه نیمه هادی تشکیل شده است مثل سیلیکون که نیمه هادی بسیار خوبی برای ساخت IC ها می باشد

که پایه اصلی یا به عبارتی جزء ساختار تراشه می باشد.

اول سیلیکون کریستالی خالص که از شن و ماسه طی فرایندی خاصی ساخته می شود

را با دادن حرارت زیاد به مایع مذاب آن را تبدیل می کنیم سپس یک تیکه از

سیلیکون جامد را با مایع مذاب اغشته می کنیم سپس سیلیکون جامد را به اهستگی از داخل مذاب بیرون می یاوریم

پس از سرد شدن به یک شمش کریستال تبدیل می شود .

سپس به وسیله ی برشگردور قطعه را برش می دهیم برشگر سیلیکونی می تواند

با برش کریستال های سیلیکونی را بین ۰٫۰۱  تا ۰٫۰۲۵ اینچ برش بدهد زمانی که

کریستال های برش می خورند ممکن است اسیب ببینند که می توان با صیقل دادن

آن را درست نمود بعد از آن باید کریستال سیلیکونی باید تمیز و خشک شود.

کریستال های تمیز شده دارای خلوص بیشتری می باشند و همچنین از نظر شیمیایی ذره های کمتری دارد

سپس آن را در معرض اکسیژن خالص زیاد قرار می دهیم.

مرحله دوم:

پوشش دادن

برای محافظت از کریستال سیلیکونی در برابر کارکرد آن با دیگر قسمت های دیگرکه به این فرایند فوتولیتوگرافی می گویند

استفاده می شود. فراینده فوتولیتوگرافی که شامل پوشش دادن فوتوگرافیک وحک کردن عکس می باشد

در واقع می توان از این طریق آن را بر روی کریستال سیلسکونی فعال نمود.

کریستال سیلکونی با استفاده از تنظیم کننده پوشش خود با عکس هماهنگی ایجاد بنماید

سپس آن را در معرض نور فرابنفش قرار می دهیم قبل از آن باید گوشی با پوشش آن تنظیم شده باشد

در واقع ابزارهای اتوماسیونی وجود دارد که این کارها را انجام می دهد

مرحله سوم:

حک کردن

مواد را می توان با انتخاب آن از سطح برای کریستال سیلیکونی برای ایجاد یک الگو ایجاد نمود

الگو با پوشش حک شده تعریف می شود و قسمتی از مواد به وسیله پوشش حک شده محافطت شده است

از این رو مواد شیمیایی و فیزیکی می توان برای حذف کردن پوشش از آن استفاده نمود برای بهبود دادن به کارایی حک در

تمامی جهات در یک زمان از حک ایزوتروپیک استفاده می نماییم حک کردن در یک مسیر بسیار سریعتر می باشد.

حکاکی مرطوب که ایزوتروپیک می باشد اما کنترل زمان آن طولانیتر می باشد.

حکاکی مربوط به وسیله مایع های حلال برای حذف کردن مواد استفاده می شود و خوب نیست

که برای انتقال الگوها از سایزهای زیرمیکرونی استفاده بنماییم به مواد اسیب نمی رساند

حکاکی فیزیکی به منظور حذف گازها می باشد و قدرت بی نظیری دارد اما انتخاب پذیر نمی باشد

برای انتقال الگوهای با سایز ریز بیشتر کاربرد دارد برای حذف کردن مقاومت آن ازمواد شیمیایی و پلاسما استفاده می نماییم.

سپس کریستال سیلیکونی با انتقال تصویر از پوشش به لایه بالایی آن را باز بینی می کند.

مرحله چهارم:

ناخالص سازی

برای تغییر الگوی الکتریکی سیلیکون اتم با یک الکترون کمتر از سیلیکون مانند بور و اتم با یک الکترون بزرگترمانند فسفربه  ویفراضافه می شود.

پیوند مدلی P بور و پیوند مدلی N فسفرمی باشد که برای ویژگی های هدایت کننده ساخته می شود

تعریف انتشار را می توان از حرکت ناخالص اتم درمواد نیمه هادی در دمای بالا بیان نمود.ا

نتشار اتمی:در این روش ناحیه پیوندی P و N با اضافه کردن ناخالصی به ویفر ساخته می شود.

ویفرها را سپس در یک کوره قرار می دهند که از کوارتزساخته شده

که اطراف آن را عناصر گرمایی احاطه کرده استسپس ویفر را مابین ۱۵۰۰ تا ۲۲۰۰ درجه فارنهایت حرارت می دهند.

گاز بی اثر که به عنوان مواد شیمیایی ناخالص می باشد از میان ویفر عبور می دهند

و بعدا ازآن به ویفر اضافه می شود ازاین روش برای ناحیه های بزرگ استفاده می شود

برای نواحی کوچکتر بسیار سخت و همچنین دقیق نمی باشد کاشت یون:از این روش نیزهمچنین برای اضافه کردن

ناخالصی استفاده می شود در این روش ابتدا گاز بی اثر همانند فسفر و یا بور باید ابتدا یونیزه

بشود سپس به وسیله پرتو پرانرژی یون بی اثر را به ناحیه خاصی از ویفرمی تابانند که باعث نفوذ به ویفر می شود

مقدار نفوذپذیری آن به انرژی تابشی بستگی دارد با تغییر انرژی تابشی امکان کنترل عمق نفوذپذیری

برای ایجاد ناخالصی در ویفر را می توان ایجاد نمود.

جریان تابشی و زمان قرار گرفتن برای کنترل مقدار ناخالصی ایجاد می شود این روش بسیارکندترازفرایند تابش اتمی می باشد

این روش نیاز به پوشش ندارد و همچنین بسیار هزینه بر می باشد ابتدا نقطه مورد نظر را که می خواهند

ناخالصی به ویفر اضافه بکنند انتخاب می کنند سپس به آن شلیک می کنند 

مرحله پنجم:

متالیزه کردن به منظوراتصال سیلیکون و تراشه مورد استفاده قرار می گیرد

و یک لایه بسیار نازک ازالومینیوم تمامی سطح ویفر را در بر می گیرد

همچنین ازالومینیوم به دلیل رسانا بودن مورد استفاده قرار می گیرد و از طرف دیگه به دلیل تماس

با مقاومت کم و پیوند مکانیکی آن با سیلیکون برای شکل پذیری در انجماد و حک کردن مورد استفاده قرار می گیرد. 

ساخت لایها:

فراینده پوشش دادن-حک کردن- ناخالص کردن همگی تکرار می شود برای هر لایه, تا ساخت IC تکمیل بشود.

در بین اجزا دیواکسید سیلیکون به منظورعایق استفاده می شود که به این فرایند رسوب گذاری بخار شیمیایی می گویند.

برای ایجاد پدهای تماس از المینیوم استفاده می شود تولید شامل سه لایه جدا کننده ازلایه های دی الکتریک می باشد که برای ایزوله کردن

الکتریکی و فیزیکی و همچنین یک لایه جامد دی الکتریک که تمامی سطح اجزا را گرفته باعث ایزوله شدن آن می شود.

ترانزسیتورهای: NPN  و PNP

<h2><strong>ساخت IC ها نکات مربوط به آن</strong></h2>

ساخت IC ها نکات مربوط به آن

می توان ترانزسیتورهای NPN  و PNP را ایجاد نمود برای جلوگیری از اسیب و الودگی مدار

اخرین لایه دی الکتریک مثبت اضافه می شود سپس IC مورد نظر از نظر الکتریکی مورد ازمایش قرار می گیرد و عملکرد

هر تراشه را باید مورد بررسی قرار بدهیم و تراشه هایی که این تست ها را رد بشوند مورد استفاده قرار نمی گیرند 

مونتاژ و بسته بندی:هرکدام از ویفرها دارای صدها تراشه می باشند این تراشه ها که به صورت جدا بسته بندی می شوند

برا اساس روش نوشتن و پاک شدن بیان می شود ویفر که همانند یک تیکه شیشه می باشد

تیغ الماس هرکدام از ویفرها را به تراشه های تکی تقسیم می کند از الماس به منظور ابزار برش

برای هرکدام از تراشه ها استفاده می شود که آنها را به صورت مستطیل در بیاوردهرکدام از تراشه ها

که از نظر الکتریکی رد بشوند مورد استفاده قرار نمی گیرند قبل از بسته بندی هرکدام

از تراشه ها زیر میکروسکوپ به خوبی باز بینی می شوند سپس تراشه مورد قبول بسته بندی می شود

برای بسته بندی می توان از سه روش استفاده نمود بسته بندی فلزی – سرامیکی و یا هردو مورد استفاده قرار

بگیرد برای مصارف نظامی از بسته بندی سرامیکی استفاده می شود در اخر آنها را در کیسه های پلاستیکی ضد استاتیک قرار می دهند

برای خواندن این اخبار جذاب اینجا کلیک کنیدhttps://alborzdake.com/گوشی-های-هواوی-با-سه-دوربین

برای خواندن این اخبار جذاب اینجا کلیک کنیدhttps://alborzdake.com/تفاوت-دو-تراشه-معروف-۸۳۵۸۴۵-با-تراشه-قد

برای خواندن این اخبار جذاب اینجا کلیک کنیدhttps://alborzdake.com/شایعه-ها-درباره-ی-گوشی-سونی

برای خواندن این اخبار جذاب اینجا کلیک کنیدhttps://alborzdake.com/تراشه-های-اینتل-و-سامسونگ

برای مشاهده دیگر محصولات اینجا کلیک کنید.https://alborzdake.com/

برای مشاهده کردن لوازم جانبی اینجا کلبک کنید.https://alborzdake.com/cat/lg/

از مجتمع فنی مهندسین برتر دیدن فر مایید:https://gsmbartar.com/

با ما همیشه در اوج باشید. البرز دکه